丝印A1SHB规格书

A1SHB（HU2301）PMOS管。

晶体管类型 ： P沟道MOSFET

最.大功耗PD ： 1.25W

漏源电压VDS ：－20V（极限值）

漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A

栅极漏电流IGSS：±100nA。

A2SHB（HU2302）NMOS管。

晶体管类型 ： N沟道MOSFET

最.大功耗PD ： 1.25W

漏源电压VDS ：20V（极限值）

漏极电流ID：TA=25°时：3.0A，TA=70°时：2.2A

栅极漏电流IGSS：±10uA。