折腾了两三天终于搞定了s3c2440对nandflash的读写操作，s3c2410对nandflash的读写操作资料比较多而s3c2440的资料比较少，两款芯片在nandflash寄存器上有较大的变化，不能通用，需对照datasheet修改。
下面讲一下实验过程：
试验目的：使nandflash开始4k代码完成将4k以后代码copy到sdram内运行的功能。
试验内容：采用朗成AT2440EVB-I型开发板，nandflash启动跳线1，3，4在on位置，将head.s和init.c（主要完成初始化，nandflash读写，从nandflash到sdram的代码copy）写入nandflash起始地址（启动地址0x0000），将main.c（完成点亮LED的功能）存放到nandflash的4096地址，但使其在0x30000000(就是sdram的首地址)运行，这就需要nandflash启动后4k的代码将4096起始的代码copy到0x30000000运行。
过程：本来是有源代码的，但那是用在s3c2410上的，将其直接用到AT2440EVB-I型开发板上，失败。将2410和2440datasheet对照一看才知道寄存器有了很大变化，直接用是肯定不行的。查资料才知道2440的nandflash操作资料很少（好像2440的资料都很少，2410比较多），最后查到两个，一个是u-boot在2440上的移植，其中有从nandflash启动的读写函数（copy自vivi），另一个就是AT2440EVB-I型开发板自带的ATBOOT中nand_read.c，对照看了一下差不多，根据这两个资料改写init.c之后还是失败。只好又找资料将“nandflash读写操作”的原理搞清楚了（之前一直没搞清楚代码，只是拿过来用）。再看2410上的代码，发现2440上的少了nandflash的初始化函数，对照datasheet改写寄存器后，led终于亮了。^_^
s3c2410对nandflash读写操作寄存器配置的流程：
1.初始化
NFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);或NFCONF = 0xf830;
（1）enable NAND flash controller（15位）
（2）initialize ECC（12位）
（3）chip disable（11位），使用时再chip enable
（4)设置TACLS=0、TWRPH0=3、TWRPH1=0 //2440采用默认值即可
2.复位
(1)NFCONF &= ~0x800;//chip enable
(2)NFCMD = 0xff; //reset command
(3)while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate
3.读写函数
（1）NFCONF &= ~0x800;/* chip Enable */
（2）NFCMD = 0;//read0
（3）NFADDR = i & 0xff; NFADDR = (i >> 9) & 0xff; NFADDR = (i >> 17) & 0xff; NFADDR = (i >> 25) & 0xff;/* Write Address */
（4）while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate
（5）*buf = (NFDATA & 0xff);//读数据线
（6）NFCONF |= 0x800; /* chip disable */
s3c2440对nandflash读写操作寄存器配置的流程：
1.初始化
（1）NFCONT = (1<<0) //enable NAND flash controller
（2）NFCONT |= (1<<1)/* chip disable */
2.复位
（1）NFCONT &= ~(1<<1) /* chip enable */
（2）NFCMD = 0xff; //reset command
（3）while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate
3.读函数
（1）NFCONT &= ~(1<<1) /* chip enable */
（2）NFSTAT |= (1<<2) //NAND_CLEAR_RB ，RnB transition is detected
（3）NFCMD = 0; //READ0，读上半叶
（4） /* Write Address */
NFADDR = i & 0xff;
NFADDR = (i >> 9) & 0xff;
NFADDR = (i >> 17) & 0xff;
NFADDR = (i >> 25) & 0xff;
（5）while(! (NFSTAT&(1<<0)) ); /*NAND_DETECT_RB，等待NAND flash memory ready to operate*/
（6）*buf = (NFDATA & 0xff); //读数据线
（7）NFCONT |= (1<<1)/* chip disable */
s3c2440对nandflash读写操作部分源码（仅供学习使用）：
/* NAND Flash registers 2440*/
#define NFCONF (*(volatile unsigned int *)0x4e000000)
#define NFCONT (*(volatile unsigned int *)0x4e000004)
#define NFCMD (*(volatile unsigned char *)0x4e000008)
#define NFADDR (*(volatile unsigned char *)0x4e00000c)
#define NFDATA (*(volatile unsigned char *)0x4e000010)
#define NFSTAT (*(volatile unsigned char *)0x4e000020)
#define NAND_CHIP_ENABLE (NFCONT &= ~(1<<1))
#define NAND_CHIP_DISABLE (NFCONT |= (1<<1))
#define NAND_CLEAR_RB (NFSTAT |= (1<<2))
#define NAND_DETECT_RB { while(! (NFSTAT&(1<<0)) );}
/* 在第一次实用NAND Flash前，复位一下NAND Flash */
void reset_nand()
{
int i=0;
// NFCONF &= ~0x800;
// for(; i<10; i++);
NAND_CHIP_ENABLE;
NFCMD = 0xff; //reset command
wait_idle();
}
/* 初始化NAND Flash */
void init_nand()
{
// NFCONF = 0xf830;
NFCONT = (1<<0);
NAND_CHIP_DISABLE;
reset_nand();
}
#define BUSY 1
inline void wait_idle(void) {
while(!(NFSTAT & BUSY));
NFSTAT |= BUSY;
}
#define NAND_SECTOR_SIZE 512
#define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)
/* low level nand read function */
int
nand_read_ll(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
return -1; /* invalid alignment */
}
NAND_CHIP_ENABLE;
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
/* READ0 */
NAND_CLEAR_RB;
NFCMD = 0;
/* Write Address */
NFADDR = i & 0xff;
NFADDR = (i >> 9) & 0xff;
NFADDR = (i >> 17) & 0xff;
NFADDR = (i >> 25) & 0xff;
NAND_DETECT_RB;
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
*buf = (NFDATA & 0xff);
buf++;
}
}
NAND_CHIP_DISABLE;
return 0;
}
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补充：
1.1.3 寻址方式
Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26位地址形式。从第0位开始分四次通过I/O0－I/O7进行
传送，并进行片内寻址。具体含义如下：
0－7位：字节在上半部、下半部及OOB内的偏移地址
8位：值为0代表对一页内前256个字节进行寻址
值为1代表对一页内后256个字节进行寻址
9－13位：对页进行寻址
14－25位：对块进行寻址
当传送地址时,从位0开始
1.1.4 Nand flash 主要内设命令详细介绍
Nand Flash命令执行是通过将命令字送到Nand Flash控制器的命令寄存器来执行。
Nand Flash的命令是分周期执行的，每条命令都有一个或多个执行周期，每个执行周期都有相映代码表示该周期将要执行的动作。
主要命令有：Read 1、Read 2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status。
详细介绍如下：
1. Read 1：
功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的前半部分，并且将内置指针定位到前半部分的第一个字节。
命令代码：00h
2. Read 2：
功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的后半部分，并且将内置指针定位到后半部分的第一个字节。
命令代码：01h
3. Read ID：
功能：读取Nand flash芯片的ID号
命令代码：90h
4. Reset：
功能：重启芯片。
命令代码：FFh
5. Page Program：
功能：对页进行编程命令, 用于写操作。
命令代码：首先写入00h(A区)/01h(B区)/05h(C区), 表示写入那个区; 再写入80h开始编程模式(写入模式)，接
下来写入地址和数据; 最后写入10h表示编程结束.
6. Block Erase
功能：块擦除命令。
命令代码：首先写入60h进入擦写模式，然后输入块地址; 接下来写入D0h, 表示擦写结束.
7. Read Status
功能：读取内部状态寄存器值命令。
命令代码：70h