3.2 SRAM的工作原理
3.2.1 半导体读/写存储器
半导体读/写存储器按存储元件在运行中能否长时间保存信息分为两类：
静态存储器 (SRAM)
特点:以触发器原理寄存信息.集成度低，功耗较大，速度快，用于快速存储器缓存，访问周期约为20~40 ns。
动态存储器（DRAM）
特点:以电容充放电原理寄存信息.集成度高，功耗小，主要用于大容量存储器，主要用于内存.
3.2.2 工作原理
3.2.3 读数据工作原理
注意事项
检测到的负脉冲信号较为微弱，需要经过放大、整波后才能输出.
掉电后信息将丢失.
3.2.4 写数据工作原理
3.2.5 存储芯片的工作原理
半导体存储芯片采用超大规模集成电路制造工艺，要与外界打交道，须包含下列三组信号线.
地址线
地址线用于指定每个存储单元所在的行列位置，即指定每个存储单元的地址；
数据线
通过地址选定相应存储单元后，需要数据线来传送要操作的数据
控制线
一般包括使能端，读写控制端
3.2.6 主存地址的编址方式
对某个容量固定的存储器，编址方式不同，则所包含的单元数不同； 描述某个存储器的容量时，一般书写成单元数×编址单位 如1K ×8位，表示其编址单位为8位，共1K个存储单元，容量总计为1KB，若为SRAM，则其地址线为10根，数据线为8根。
这里2^10=1024，即为1K，而1B=8位（bit）。
1.某SRAM芯片，其存储容量为64K×32位，则该芯片地址线和数据线数目分别为多少？ 2.某机器字长32位，存储容量为256MB，若按字寻址，它的寻址范围是0~？，若按字节寻址，其寻址范围是0~？3.某SRAM芯片，其存储容量为16K×8位，问：
①该芯片的地址线和数据线各为多少条？
②存储器的地址从0000H开始，请问芯片的地址范围是多少？