之前的产品用的是K9F2G08U0C，三星已经通知停产。查看三星可用的型号后，选择K9F4G08U0E。申请样片焊上调试发现，启动时会卡在OAL Clear Storage的地方，出现ECC校验错误。
在Eboot中调试后发现，在写入时，2KB + 64B一起写时没有问题。但是写完之后，再次单独去写64B时，就会导致2K的数据被破坏，64B数据也不对。因为Wince的Nandflash驱动在page写时需要三步：1是先写64B区域(Spare),将page标为编程中；2是写数据和校验并将页置为有效；3是将老的page标为无效。三步中，1.3需要单独的对Spare区域进行写操作。这样就出现了问题。
调试了很久，也对比了读写时序，都没有发现问题，一直无法通过。最后通过代理的技术支持了解到。该芯片的Number of partial-page programs参数为1，K9F2G08U0C的该参数为4.也就是说K9F4G08U0E只能对2K或是64或者是2K+64编程一次，下次编程必须要先擦除。K9K8G08U0E也是一样的。因为芯片手册是同一个。
不知道大家有没有遇到这个问题。如何才能解决呢？
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没用过这款flash，你查查LoongEmbedded的帖子，看看他之前是不是也是用这款flash出的问题。
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我也遇到这个额问题，但最后还是没有解决掉，改用用其他芯片了。
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LZ是否解决了？我也遇到这个问题